RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
44
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2795
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link