RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
49
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3857
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link