RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
49
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2690
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link