RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
49
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
44
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2523
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link