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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB

总分
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

总分
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Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    44 left arrow 49
    左右 -11% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.3 left arrow 10.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.8 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 44
  • 读取速度，GB/s
    10.1 left arrow 17.3
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 10.8
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2070 left arrow 2523

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
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内存RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
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内存RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
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内存RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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内存RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
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内存RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
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内存RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
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内存RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
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