RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
58
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
58
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2096
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link