RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3660
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston 9905403-02X.B00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link