RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
99
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
99
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
1386
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link