RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
49
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3009
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link