RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
74
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
74
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2182
1849
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FHD-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link