RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
33
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
32
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3726
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link