RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
54
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3022
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link