RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
76
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
76
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
1718
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link