RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
63
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
63
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
1863
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link