RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
54
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3475
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link