RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
54
Wokół strony -170% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
20
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3619
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link