RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
65
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
65
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
1921
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451B6AFR8A
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link