RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
54
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3230
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-D8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link