RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
54
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
36
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2416
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-009.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link