RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
54
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2618
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link