RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
54
Wokół strony -184% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
19
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3905
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link