RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
54
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
24.7
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
24.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
19.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
4174
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link