RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
54
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
39
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2600
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link