RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
54
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3171
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link