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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
54
左右 -135% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
23
读取速度,GB/s
9.2
17.5
写入速度,GB/s
8.1
13.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3171
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
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