RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
54
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2346
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link