RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
54
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
22
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2666
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link