RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
54
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.6
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
33
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2227
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link