RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    33 left arrow 54
    Около -64% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    11.6 left arrow 9.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.3 left arrow 8.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    54 left arrow 33
  • Скорость чтения, Гб/сек
    9.2 left arrow 11.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.1 left arrow 8.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2105 left arrow 2227

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM

Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
модули RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
модули RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
модули RAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
модули RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
модули RAM