RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
54
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2354
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link