RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
62
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
62
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
1772
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link