RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
54
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
34
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2974
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link