RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
58
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.7
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
58
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
9.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2172
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link