RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
54
Wokół strony -170% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
20
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3619
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT51264BF1339J.M8F 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Intel 99P5471-013.A00LF 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link