RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
54
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2933
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link