RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
73
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
73
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
1724
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link