RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
54
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
35
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2824
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link