RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
54
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2922
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link