RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
62
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
62
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
1586
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link