RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
54
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2544
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link