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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
54
左右 -108% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
26
读取速度,GB/s
9.2
14.5
写入速度,GB/s
8.1
9.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2544
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
SK Hynix Kingston 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
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