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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
77
左右 -285% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
20
读取速度,GB/s
3,405.2
19.0
写入速度,GB/s
2,622.0
14.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3462
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
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