RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
63
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
36
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
3044
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Inmos + 256MB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link