RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Porównaj
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
66
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
36
Prędkość odczytu, GB/s
7.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1760
2488
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link