RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
51
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2049
3683
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link