RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
51
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2049
3683
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link