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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Comparar
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
51
Por volta de -104% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
7.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
25
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
19.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.6
14.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2049
3683
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Comparações de RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
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Kingston XCCT36-MIE 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
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