RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
49
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
43
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2501
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70EB0-CMA 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 9905402-414.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link