Comparación de la memoria RAM Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Puntuación global

Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

43 49

En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

12.2 10.9

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.7 8.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 14900

En 1.14 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj

9-10-9-28 / 1866 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2283 2501

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns