Comparação RAM Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Pontuação geral

Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB

Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

43 49

Por volta de -14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

12.2 10.9

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

9.7 8.4

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

17000 14900

Por volta de 1.14 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio

9-10-9-28 / 1866 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2283 2501

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns