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Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Comparez
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Note globale
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
49
Autour de -14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.2
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
14900
Autour de 1.14 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
43
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
12.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
17000
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2501
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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